貼片電容封裝詳細(xì)資料

所屬分類： 行業(yè)知識(shí) 發(fā)布時(shí)間： 2023-06-01

單片陶瓷電容(俗稱貼片電容)是目前常用的大量元件。村田電容所包含的參數(shù)有貼片電容的尺寸、做這種貼片電容用的材質(zhì)、要求達(dá)到的精度、要求的電壓、要求的容量、端頭的要求以及包裝的要求。一般訂購貼片電容需提供的參數(shù)要有尺寸的大小、要求的精度、電壓的要求、容量值、以及要求的品牌即可。AVX 公司生產(chǎn)的貼片電容有 NPO、 X7R、 Z5U、 Y5V 等不同的規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們將只使用 NPO，X7R，Z5U 和 Y5V 來介紹它們的性能和應(yīng)用以及采購應(yīng)注意的事項(xiàng)，以便吸引您的注意。不同的公司可能有不同的命名電容具有不同的性能上述。這里我們參考 AVX 的術(shù)語。其他產(chǎn)品請參閱公司產(chǎn)品說明書。

NPO、X7R、Z5U、Y5V的主要區(qū)別在于填充介質(zhì)不同。相同體積下，不同填充介質(zhì)組成的電容容量不同，電容的介質(zhì)損耗和容量穩(wěn)定性也不同。因此，在使用電容時(shí)，應(yīng)根據(jù)電容在電路中的不同作用選擇不同的電容。

* NPO電容

NPO是一種最常用的具有一定溫度進(jìn)行補(bǔ)償功能特性的單片陶瓷電容。它的填充工作介質(zhì)是由銣、釤和一些企業(yè)其它稀有金屬氧化物主要組成的。NPO電容是電容量和介質(zhì)材料損耗最穩(wěn)定的電容技術(shù)之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化影響小于± 0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后時(shí)間小于±0.05%,相對(duì)價(jià)值大于±2%的薄膜電容來說是我們可以選擇忽略他們不計(jì)的。其典型的容量發(fā)展相對(duì)合理使用網(wǎng)絡(luò)壽命的變化明顯小于±0.1%。 NPO電容隨封裝設(shè)計(jì)形式存在不同其電容量和介質(zhì)傳播損耗隨頻率不斷變化的特性也不同,大封裝以及尺寸的要比小封裝一個(gè)尺寸的頻率相關(guān)特性好。下表給出了NPO電容可選取的容量研究范圍。

封裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

22251000pF-0.033 ΜF(xiàn) 1000pF-0.018 ΜF(xiàn)

NPO電容適用于振蕩器和諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

* X7R電容

X7R電容可以被稱為環(huán)境溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容。當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%,需要我們注意的是此時(shí)電容市場容量不斷變化發(fā)展是非進(jìn)行線性的。

X7R電容的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，也隨時(shí)間而變化，每10年變化約1%Δ C，10年變化約5%。

X7R 電容主要用于要求較低的工業(yè)應(yīng)用，當(dāng)電壓變化時(shí)，它們的容量變化是可以接受的。它的主要特點(diǎn)是在相同體積下可以使電容變大。下表顯示了 X7R 電容的可選容量范圍。

封裝 DC=50V DC=100V

0805330pF-0.056 ΜF(xiàn) 330pF-0.012 ΜF(xiàn)