什么是場效應(yīng)管？

場效應(yīng)晶體管(FET)是場效應(yīng)晶體管的簡稱。村田電容所包含的參數(shù)有貼片電容的尺寸、做這種貼片電容用的材質(zhì)、要求達到的精度、要求的電壓、要求的容量、端頭的要求以及包裝的要求。一般訂購貼片電容需提供的參數(shù)要有尺寸的大小、要求的精度、電壓的要求、容量值、以及要求的品牌即可。 一般的晶體管是其中兩個極性的載流子(即相反極性的多數(shù)載流子和少數(shù)載流子)參與導通的晶體管，因此稱為雙極晶體管，而FET僅由多數(shù)載流子導通，它與雙極晶體管相反，也稱為單極晶體管。 高輸入電阻（108～109 Ω）、低噪聲、低功耗、動態(tài)范圍大、易于集成、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬，已成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競爭者。

一、場效應(yīng)管的分類

場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵型。JFET (JFET)之所以得名是因為它有兩個 PN 結(jié)，而絕緣柵型場效應(yīng)晶體管(JGFET)之所以得名是因為柵極與其他電極完全絕緣。目前，金屬氧化物半導體 MOSFET 以及 PMOS、 NMOS 和 VMOS 功率 MOSFET 被廣泛應(yīng)用于絕緣柵 MOSFET、 πmos FET、 VMOS 功率模塊等。

按溝道半導體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強型的。

場效應(yīng)晶體管技術(shù)可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

II.場效應(yīng)晶體管模型命名方法

目前有兩種命名方法。

第一種命名方法與雙極晶體管相同。第三個字母J代表結(jié)型FET，O代表絕緣柵型FET。第二個字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；c型硅p溝道。比如3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)晶體管，3DO6C是絕緣柵N溝道場效應(yīng)晶體管。

第二種命名研究方法是CS××#，CS代表一個場效應(yīng)管，××以數(shù)字技術(shù)代表產(chǎn)品型號的序號，#用字母可以代表進行同一設(shè)備型號中的不同需求規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。

三、FET參數(shù)

場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般來說主要涉及以下幾個參數(shù):

1.I DSS-飽和漏源電流。指結(jié)型或耗盡型絕緣柵FET中柵極電壓U GS=0時的漏源電流。

2、UP工作在開關(guān)控制狀態(tài)下的三極管我們都可以叫開關(guān)管。三極管有PNP、NPN、單結(jié)晶體管等。