村田硅電容器的結構

利用干法蝕刻技術的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術，它可以讓通過SF6氣體進行蝕刻和通過C4F8形成保護膜高速重復，從而實現高縱橫比蝕刻。

村田硅電容器的特點

硅電容器采用村田獨家技術通過深溝槽及三角架支柱的結構，獲得了比平面結構大100倍的電極表面積，實現了緊湊封裝。另外，因為硅電容器的電介質使用了溫度補償類材料，所以在實際使用條件下容量不會減少，達到了上下電極式小型產品領域中的最大級別靜電容量密度。

村田硅電容伴隨高速大容量通信技術而來的信號寬帶化及挑戰(zhàn)

為了達到伴隨高速大容量通信，村田代理商智成電子如何利用比現行帶寬高數倍至數十倍的帶寬已成為一大研究課題。但眾所周知，若以大功率輸出寬帶信號，功率放大器模塊（PAM）內將會出現互調失真（IMD）問題，降低信號完整性。IMD的頻率與帶寬成正比例關系，2階IMD中造成問題的頻率在Sub6GHz中最大達到400MHz，在毫米波中則達到數GHz。

應用對象：基站的射頻功率放大器模塊

村田硅電容去耦解決方案

村田代理商深圳智成以下將介紹消除二階IMD的方法。IMD的低頻段可通過與場效應管的漏極相連的偏置電路消除，但是IMD的高頻段因為受到用于RF-Blocking的微帶線等的影響，難以在功率放大器模塊外消除。在此要介紹的方法就是，將硅電容器（Si-Cap）直接用于功率放大器模塊內的金屬基板上，通過打線方式將硅電容與FET連接。
通過這種方法，利用在實際使用條件下能夠保持大容量的小型硅電容器，可以在功率放大器模塊的有限空間內消除IMD。

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